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          PCB平面度翹曲度粗糙度測(cè)量?jī)xOEC 上海 
      平面度、粗糙度、彎曲形變測(cè)量flatness,bow,warpageandroughness  

 

面對(duì)的測(cè)量任務(wù):

對(duì)于材料平面結(jié)構(gòu)的研究要涉及

到相當(dāng)多的參數(shù)需要測(cè)量。

首先，*為主要的參數(shù)應(yīng)該是表面

粗糙度，也是*為常用的。

在表面測(cè)量的大量案例中，測(cè)量

平面參數(shù)時(shí)對(duì)應(yīng)的粗糙度值都非常小，

通常測(cè)量值都是納米級(jí)或亞納米級(jí)。

材料表面測(cè)量的第二個(gè)重要參數(shù)

是形狀的變化。

在我們服務(wù)的客戶中，有些材料

表面的彎曲形變度幾乎為零

也就是說(shuō)，該客戶的材料表面具

有上等別的平面度。

 

 Figure 1: Warpage or fltness measurement of a 300 mm

wafer. Note, that the height is only some ten microns,

compared to the 300 mm area.12寸硅片平面度測(cè)量，僅10um彎曲

 

 

測(cè)量中存在的問(wèn)題:

問(wèn)題是，大多數(shù)表面測(cè)量儀器并

不能同時(shí)測(cè)量粗糙度和平面度。也不能

進(jìn)行模式變換。

比如，有些平面度及曲面形狀

測(cè)量?jī)x器測(cè)量300mm硅片時(shí)得到

的測(cè)量分辨率很低，它不可能對(duì),

硅片的整個(gè)面型進(jìn)行高分辨率的

形貌及高度輪廓測(cè)量。

如果要求這些儀器在小的波

形及頻率下得到**的平面度測(cè)量

值、同時(shí)測(cè)量出粗糙度值，也是無(wú)

法完成的。

 

我們的解決方案:

 FRT 的解決方案是配置高分辨

率的Z方向光學(xué)測(cè)量傳感器，附X,Y

掃描臺(tái)，系統(tǒng)不但能整體測(cè)量平面

度，彎曲翹曲度，而且能同時(shí)完成

高分辨率的三維形貌局部測(cè)量?；?/span>

者以高分辨率測(cè)量整個(gè)樣品的側(cè)面

高度輪廓，這時(shí)，如果測(cè)量的分辨率

還不能滿足客戶的精度需求，FRT可

以在同一臺(tái)設(shè)備上再安裝AFM-原子

力顯微鏡，提供了在高分辨率前提下

**測(cè)量方式的切換。

 

  

Figure2:Ahighresolutionmeasurementwithinthewafer

Surface晶圓表面的高分辨率測(cè)量圖

 

FRT 光學(xué)傳感器能保證快速及**地

形貌測(cè)量，樣品的尺寸范圍較大，可

從200 μ x 200 μ至600mmx600mm

 

 

測(cè)量精度：XY方向分辨率為1-2um，

Z 軸范圍為 300um 到3 mm，同

時(shí)傳感器在Z方向上不做移動(dòng)，分辨

*高可達(dá)3nm，系統(tǒng)可配置一臺(tái)定位

相機(jī)，其作用當(dāng)作一臺(tái)光學(xué)顯微鏡

用于光學(xué)傳感器在測(cè)量時(shí)確定掃描

的位置及范圍。

 

Figure 3: 300 mm wafer flatness with profiles

     12寸晶圓平面度帶側(cè)高信息

 

 

 FRT 下面的儀器可以配置

原子力色差傳感器:

AFM/chromatic sensor

 

The MicroProf^?in the 200 mm and 300 mm

version.

 

The MicroGlider^? in all versions.

By deducting a reference plane a repro-

ducibility in height of better then 100 nm is

achieved for the whole measuring range of

350 mm x 350 mm.

使用FRT介紹的光學(xué)測(cè)量及定位

相機(jī)再配合原子力顯微鏡AFM，

這樣對(duì)于樣品每個(gè)點(diǎn)的測(cè)量都非

常迅速而且精準(zhǔn)。

 Figure 4: Profiles from figure 3 giving bow and warpage

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